前不久Intel宣布即將舉行一次重要會(huì)議，今天凌晨這個(gè)會(huì)議正式召開(kāi)，介紹了Intel在芯片工藝及封裝上的進(jìn)展，其中一個(gè)重要內(nèi)容就是全新的CPU工藝路線圖，而且Intel真的改名了，10nm工藝變成了Intel 7，7nm變成了Intel 4，未來(lái)還有Intel 3、Intel 20A

Intel是堅(jiān)定的摩爾定律捍衛(wèi)者，盡管每代工藝的技術(shù)指標(biāo)是最強(qiáng)的，但在進(jìn)度上確實(shí)已經(jīng)落后于臺(tái)積電、三星，現(xiàn)在量產(chǎn)了10nm工藝，臺(tái)積電已經(jīng)是第二代5nm工藝了，明年還有3nm工藝。

工藝命名上始終落后對(duì)手，對(duì)Intel來(lái)說(shuō)宣傳很不利，早前網(wǎng)友調(diào)侃說(shuō)Intel應(yīng)該把10nm改成7nm，畢竟他們的晶體管指標(biāo)確實(shí)達(dá)到甚至超過(guò)了臺(tái)積電7nm的水平，沒(méi)想到這個(gè)調(diào)侃成真，Intel這次真的改名了，但改的方式也有點(diǎn)獨(dú)特。

此前的10nmEnhanced SuperFin工藝改為Intel 7——對(duì)，沒(méi)有7nm字樣，官方就叫做Intel 7，你當(dāng)7nm也行，但I(xiàn)ntel沒(méi)明確說(shuō)是7nm，這次就是改了，但又沒(méi)改。

相比Tiger Lkae上的10nm Superfin工藝，Intel 7工藝的每瓦性能提升10-15%(注意Intel介紹性能提升的方式也變了，說(shuō)的是每瓦性能)，首先應(yīng)用于今年底的Alder Lake，數(shù)據(jù)中心處理器Sapphire Rapids則會(huì)在明年用上Intel 7工藝。

Intel原先的7nm工藝則會(huì)改名為Intel 4，這會(huì)是Intel首個(gè)應(yīng)用EUV光刻工藝的FinFET工藝，每瓦性能提升20%，2022年下半年開(kāi)始生產(chǎn)，2023年產(chǎn)品出貨，就是之前的7nm Meteor Lake處理器。

Intel 4工藝之后是Intel 3工藝，是最后一代FinFET工藝，每瓦性能提升18%，2023年下半年開(kāi)始生產(chǎn)。

再往后Intel也會(huì)放棄FinFET晶體管技術(shù)，轉(zhuǎn)向GAA晶體管，新工藝名為Intel 20A，會(huì)升級(jí)到兩大突破性技術(shù)——PowerVia、RibbonFET，前者是Intel獨(dú)創(chuàng)的供電技術(shù)，后者是GAA晶體管的Intel技術(shù)實(shí)現(xiàn)，預(yù)計(jì)2024年問(wèn)世。

2025年及之后的工藝還在開(kāi)發(fā)中，命名為Intel 18A，會(huì)繼續(xù)改進(jìn)RibbonFET工藝，同時(shí)會(huì)用上ASML下一代的高NA EUV光刻機(jī)，量產(chǎn)時(shí)間不定。